参数资料
型号: IRFP3703
厂商: International Rectifier
文件页数: 4/9页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 30V 210A TO-247AC
标准包装: 25
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 210A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 2.8 毫欧 @ 76A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 209nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 8250pF @ 25V
功率 - 最大: 3.8W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商设备封装: TO-247AC
包装: 散装
其它名称: *IRFP3703
IRFP3703
14000
12000
V GS = 0V,    f = 1MHz
C iss = C gs + C gd , C ds SHORTED
C rss = C gd
C oss = C ds + C gd
20
16
I D = 76A
V DS = 24V
10000
8000
6000
C iss
12
8
C oss
4000
4
2000
0
C rss
0
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 13
1
10
100
0
40
80
120
160
200
240
280
320
1000
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
10000
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
100
T J = 175 ° C
1000
10us
10
100us
1
T J = 25 ° C
100
1ms
0.1
V GS = 0 V
10
T C = 25 ° C
T J = 175 ° C
Single Pulse
10ms
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
1
10
100
4
V SD ,Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
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PDF描述
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参数描述
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IRFP3710 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N TO-247
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