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参数资料
型号： IRFP3703
厂商： International Rectifier
文件页数： 2/9页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH 30V 210A TO-247AC
标准包装： 25
系列： HEXFET®
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 标准
漏极至源极电压(Vdss)： 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 210A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 2.8 毫欧 @ 76A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 209nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 8250pF @ 25V
功率 - 最大： 3.8W
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-247-3
供应商设备封装： TO-247AC
包装： 散装
其它名称： *IRFP3703
IRFP3703
Static @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units
Conditions
V (BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
30
–––
––– V V GS = 0V, I D = 250μA
? V (BR)DSS / ? T J Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
0.028
––– V/°C Reference to 25°C, I D = 1mA
m ?
R DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
–––
–––
2.3
2.8
2.8 V GS = 10V, I D = 76A
3.9 V GS = 7.0V, I D = 76A
?
?
V GS(th)
Gate Threshold Voltage 2.0
–––
4.0 V V DS = V GS , I D = 250μA
I DSS
Drain-to-Source Leakage Current
–––
–––
–––
–––
20 V DS = 24V, V GS = 0V
μA
250 V DS = 24V, V GS = 0V, T J = 150°C
I GSS
Gate-to-Source Forward Leakage –––
Gate-to-Source Reverse Leakage –––
–––
–––
200 V GS = 20V
nA
-200 V GS = -20V
Dynamic @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units
Conditions
––– I D = 76A
g fs
Q g
Q gs
Q gd
t d(on)
t r
t d(off)
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
150
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
209
62
42
18
123
53
––– S V DS = 24V, I D = 76A
––– I D = 76A
––– nC V DS = 24V
––– V GS = 10V, ?
––– V DD = 15V, V GS = 10V
ns
––– R G = 1.8 ?
t f
Fall Time
–––
24
––– V GS = 10V
?
C iss
C oss
C rss
C oss
C oss
C oss eff.
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Output Capacitance
Output Capacitance
Effective Output Capacitance
–––
–––
–––
–––
–––
–––
8250
3000
290
10360
3060
2590
––– V GS = 0V
––– V DS = 25V
––– pF ? = 1.0MHz
––– V GS = 0V, V DS = 1.0V, ? = 1.0MHz
––– V GS = 0V, V DS = 24V, ? = 1.0MHz
––– V GS = 0V, V DS = 0V to 24V ?
Avalanche Characteristics
Parameter
Typ.
Max.
Units
E AS
I AR
E AR
Single Pulse Avalanche Energy ?
Avalanche Current ?
Repetitive Avalanche Energy ?
–––
–––
–––
1700
76
23
mJ
A
mJ
Diode Characteristics
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I S
I SM
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode) ?
–––
–––
––– 210 ?
––– 1000
A
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
G
D
S
V SD
t rr
Q rr
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
–––
–––
–––
0.8
80
185
1.3
120
275
V
ns
nC
T J = 25°C, I S = 76A, V GS = 0V
T J = 25°C, I F = 76A, V DS = 16V
di/dt = 100A/μs ?
?
2
www.irf.com
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PDF描述
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参数描述
IRFP3703PBF 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 2.8mOhms 209nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFP3710 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N TO-247
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