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参数资料
| 型号： | IRFP260 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 46A TO247 |
| 标准包装： | 30 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 46A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 55 毫欧 @ 28A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 230nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 280W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247AD |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | IRFP260X |
Standard
Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
IRFP 260 V DSS
I D (cont)
R DS(on)
= 200 V
= 46 A
= 55 m ?
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
TO-247 AD
V DSS
V DGR
T J
T J
= 25 ° C to 150 ° C
= 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
200
200
V
V
V GS
V GSM
Continuous
Transient
± 20
± 30
V
V
D (TAB)
I D25
I DM
T C
T C
= 25 ° C
= 25 ° C, pulse width limited by T JM
46
184
A
A
I AR
E AR
T C
= 25 ° C
46
28
A
mJ
G = Gate,
S = Source,
D = Drain,
TAB = Drain
dv/dt
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
T J ≤ 150 ° C, R G = 2 ?
5
V/ns
P D
T J
T JM
T stg
T C
= 25 ° C
280
-55 ... +150
150
-55 ... +150
W
° C
° C
° C
M d
Mounting torque
1.13/10 Nm/lb.in.
Features
Weight
Maximum lead temperature for soldering
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
6
300
g
° C
? International standard package
JEDEC TO-247 AD
? Low R DS (on) HDMOS TM process
? Rugged polysilicon gate cell structure
? High commutating dv/dt rating
? Fast switching times
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ.
max.
Applications
? Switch-mode and resonant-mode
V DSS
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
200
V
power supplies
? Motor controls
V DS
V DS
V GS(th)
I GSS
I DSS
V DS = V GS , I D = 250 μ A
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
= 200V
= 160V
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
2
4
± 100
25
250
V
nA
μ A
μ A
? Uninterruptible Power Supplies (UPS)
? DC choppers
Advantages
? Easy to mount with 1 screw
(isolated mounting screw hole)
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 28 A
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
0.055
?
? Space savings
? High power density
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
? 2000 IXYS All rights reserved
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFP260MPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFP260N | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N TO-247 |
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| IRFP260PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 46 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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