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参数资料
| 型号： | IRFP260 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 46A TO247 |
| 标准包装： | 30 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 46A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 55 毫欧 @ 28A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 230nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 280W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247AD |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | IRFP260X |
IRFP 260
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ.
max.
TO-247 AD (IXTH) Outline
g fs
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
V DS = 10 V; I D = 28 A, pulse test
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
V GS = 10 V, V DS = 100 V DSS , I D = 46A
R G = 4.3 ? (External)
24
34
3900
760
320
23
30
90
28
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
Q g(on)
230
nC
Dim. Millimeter
Inches
Q gs
Q gd
R thJC
R thCK
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 I D25
42
110
0.24
0.45
nC
nC
K/W
K/W
A
B
C
D
E
F
Min. Max.
19.81 20.32
20.80 21.46
15.75 16.26
3.55 3.65
4.32 5.49
5.4 6.2
Min. Max.
0.780 0.800
0.819 0.845
0.610 0.640
0.140 0.144
0.170 0.216
0.212 0.244
G
H
1.65 2.13
- 4.5
0.065 0.084
- 0.177
Source-Drain Diode
Symbol Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
J
K
L
M
1.0 1.4
10.8 11.0
4.7 5.3
0.4 0.8
0.040 0.055
0.426 0.433
0.185 0.209
0.016 0.031
I S
V GS = 0 V
46
A
N
1.5 2.49
0.087 0.102
I SM
V SD
Repetitive; pulse width limited by T JM
I F = I S , V GS = 0 V,
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
180
1.8
A
V
t rr
Q rr
I F = 0.5 I S , -di/dt = 100 A/ μ s, V R = 100 V
260
2.34
590
7.2
ns
uC
? 2000 IXYS All rights reserved
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025
2-2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFP260MPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFP260N | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N TO-247 |
| IRFP260NHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 200V 50A 3PIN TO-247AC - Rail/Tube |
| IRFP260NPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFP260PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 46 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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