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参数资料
| 型号： | IRFP150A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 43A TO-3 |
| 标准包装： | 30 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 43A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 40 毫欧 @ 21.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 97nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2270pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 193W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3P |
| 包装： | 管件 |
IRFP150A
Fig 7. Breakdown Voltage vs. Temperature
1.2
3.0
N-CHANNEL
POWER MOSFET
Fig 8. On-Resistance vs. Temperature
2.5
1.1
2.0
1.0
1.5
1.0
0.9
@ Notes :
@ Notes :
0.8
1. V GS = 0 V
2. I D = 250 μ A
0.5
0.0
1. V GS = 10 V
2. I D = 20.0 A
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
200
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
200
T J , Junction Temperature [ o C]
Fig 9. Max. Safe Operating Area
T J , Junction Temperature [ o C]
Fig 10. Max. Drain Current vs. Case Temperature
50
10 3
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
40
10 2
10 1
DC
10 ms
1 ms
100 μ s
10 μ s
30
20
@ Notes :
10 0
1. T C = 25 o C
2. T J = 175 o C
3. Single Pulse
10
10 -1
10 0
10 1
10 2
0
25
50
75
100
125
150
175
V DS , Drain-Source Voltage [V]
10 0
D=0.5
Fig 11. Thermal Response
@ Notes :
T c , Case Temperature [ o C]
0.2
1. Z θ J C (t)=0.78
o
C/W Max.
3. T J M -T C =P D M *Z
θ J C
10 - 1
0.1
2. Duty Factor, D=t 1 /t 2
(t)
0.05
P DM
0.02
0.01
single pulse
t 1
t 2
10 - 2
10 - 5
10 - 4
10 - 3
10 - 2
10 - 1
10 0
10 1
t 1 , Square Wave Pulse Duration
[sec]
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PDF描述 |
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参数描述 |
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