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参数资料
| 型号： | IRFL4105 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223 |
| 标准包装： | 80 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 45 毫欧 @ 3.7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 35nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 660pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRFL4105 |
IRFL4105
1200
V GS
C is s
=
=
0V , f = 1M H z
C gs +C gd , C ds S H O R TE D
20
I D = 3.7 A
V D S = 24 V
1000
C iss
C rs s
C o ss
=
=
C gd
C d s +C gd
16
V D S = 15 V
800
C oss
12
600
8
400
C rss
4
200
FO R TE S T C IR C U IT
0
1
10
100
A
0
0
10
20
S E E FIG U R E 9
30
40
A
100
V D S , D rain-to-S ourc e V oltage (V )
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
100
10
Q G , T otal G ate C harge (nC )
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
O P E R A TIO N IN TH IS A R E A L IM ITE D
B Y R D S (o n)
10μs
100μ s
10
T J = 1 50 °C
1m s
T J = 25 °C
1
T A = 25 °C
T J = 15 0°C
10m s
1
V G S = 0V
A
0.1
S ing le P u lse
A
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0.1
1
10
100
4
V S D , S ourc e-to-D rain V oltage (V )
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
V D S , D rain-to-S ource V oltage (V )
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFL4310TR | MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223 |
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| IRFP048N | MOSFET N-CH 55V 64A TO-247AC |
| IRFP054N | MOSFET N-CH 55V 81A TO-247AC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFL4105HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 55V 5.2A 4PIN SOT-223 - Bulk |
| IRFL4105PBF | 功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 45mOhms 23nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFL4105TR | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFL4105TRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
| IRFL4105TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 3.7A 45mOhm 23nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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