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参数资料
| 型号： | IRFL4105TR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 45 毫欧 @ 3.7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 35nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 660pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | *IRFL4105TR IRFL4105CT |
IRFL4105
Electrical Characteristics @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units
Conditions
V (BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
55
–––
––– V V GS = 0V, I D = 250μA
? V (BR)DSS / ? T J
R DS(on)
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
Static Drain-to-Source On-Resistance
–––
–––
0.058
–––
–––
0.045
V/°C
?
Reference to 25°C, I D = 1mA
V GS = 10V, I D = 3.7A ?
––– R G = 6.0 ?
V GS(th)
g fs
I DSS
I GSS
Q g
Q gs
Q gd
t d(on)
t r
t d(off)
t f
C iss
C oss
C rss
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
Drain-to-Source Leakage Current
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
2.0
3.8
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
23
3.4
9.8
7.1
12
19
12
660
230
99
4.0 V V DS = V GS , I D = 250μA
––– S V DS = 25V, I D = 1.9A
25 V DS = 55V, V GS = 0V
μA
250 V DS = 44V, V GS = 0V, T J = 150°C
100 V GS = 20V
nA
-100 V GS = -20V
35 I D = 3.7A
5.1 nC V DS = 44V
15 V GS = 10V, See Fig. 6 and 13 ?
––– V DD = 28V
––– I D = 3.7A
ns
––– R D = 7.5 ?, See Fig. 10 ?
––– V GS = 0V
––– pF V DS = 25V
––– ? = 1.0MHz, See Fig. 5
Source-Drain Ratings and Characteristics
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I S
I SM
V SD
t rr
Q rr
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode) ?
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
55
120
1.3
30
1.3
82
170
A
V
ns
nC
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T J = 25°C, I S = 3.7A, V GS = 0V ?
T J = 25°C, I F = 3.7A
di/dt = 100A/μs ?
Notes:
? Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature. ( See fig. 11 )
? V DD = 25V, starting T J = 25°C, L = 16mH
R G = 25 ? , I AS = 3.7A. (See Figure 12)
2
? I SD ≤ 3.7A, di/dt ≤ 110A/μs, V DD ≤ V (BR)DSS ,
T J ≤ 150°C
? Pulse width ≤ 300μs; duty cycle ≤ 2%.
www.irf.com
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFL4105TRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
| IRFL4105TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 3.7A 45mOhm 23nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFL4310 | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N SOT-223 |
| IRFL4310PBF | 功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET200mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFL4310PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N CH 100V 1.6A SOT-223 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N CH, 100V, 1.6A, SOT-223 |
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