参数资料
型号: IRFL4105TR
厂商: International Rectifier
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描述: MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
标准包装: 1
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 3.7A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 45 毫欧 @ 3.7A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 35nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 660pF @ 25V
功率 - 最大: 1W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA
供应商设备封装: SOT-223
包装: 剪切带 (CT)
其它名称: *IRFL4105TR
IRFL4105CT
IRFL4105
300
I D
1 5V
250
TO P
B O TTO M
1 .7A
3 .0A
3.7 A
VDS
L
D RIV E R
200
RG
20 V
tp
D .U .T
IA S
0 .01 ?
+
- VD D
A
150
100
Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit
50
tp
V (B R )D SS
0
V D D = 25 V
25 50
75
100
125
A
150
S tarting T J , J unc tion T em perature (°C )
Fig 12c. Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
I AS
Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms
6
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PDF描述
1300990171 WIRE MESH .43-.56 W/NUT F-3
F931C335MAA CAP TANT 3.3UF 16V 20% 1206
IRFR4105 MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
AT066A SW CAP ROCKER .300" MATTE BLACK
IRFR1205 MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
相关代理商/技术参数
参数描述
IRFL4105TRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
IRFL4105TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 3.7A 45mOhm 23nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFL4310 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N SOT-223
IRFL4310PBF 功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET200mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFL4310PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N CH 100V 1.6A SOT-223 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N CH, 100V, 1.6A, SOT-223