参数资料
型号: IRFL4105TR
厂商: International Rectifier
文件页数: 3/9页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
标准包装: 1
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 3.7A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 45 毫欧 @ 3.7A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 35nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 660pF @ 25V
功率 - 最大: 1W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA
供应商设备封装: SOT-223
包装: 剪切带 (CT)
其它名称: *IRFL4105TR
IRFL4105CT
IRFL4105
100
TO P
VGS
15V
100
TOP
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
10
BO TTOM
4.5V
4 .5 V
2 0μ s P U L S E W ID T H
10
BOTTOM 4.5V
4 .5V
20 μ s P U LS E W ID TH
1
T C = 25 °C
A
1
T J = 1 50 °C
A
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V D S , D rain-to-S ource V oltage (V )
Fig 1. Typical Output Characteristics,
T J = 25 o C
V DS , D rain-to-S ource V oltage (V )
Fig 2. Typical Output Characteristics,
T J = 150 o C
100
10
T J = 2 5°C
T J = 1 5 0 °C
V DS = 25V
2.0
1.5
1.0
0.5
I D = 3.7 A
1
4.0
4.5
5.0
5.5
2 0 μ s P UL S E W ID TH
6.0 6.5 7.0
A
0.0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
V G S = 1 0V
A
100 120 140 160
V G S , G ate-to -So urce Voltag e (V)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
T J , J unc tion T em perature (°C )
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
3
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PDF描述
1300990171 WIRE MESH .43-.56 W/NUT F-3
F931C335MAA CAP TANT 3.3UF 16V 20% 1206
IRFR4105 MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
AT066A SW CAP ROCKER .300" MATTE BLACK
IRFR1205 MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
相关代理商/技术参数
参数描述
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IRFL4310PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N CH 100V 1.6A SOT-223 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N CH, 100V, 1.6A, SOT-223