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参数资料
| 型号： | IRFL4105TRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223 |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet SOT-223 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 45 毫欧 @ 3.7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 35nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 660pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | IRFL4105TRPBFDKR |
IRFL4105PBF
100
TOP
VGS
15V
10V
100
TOP
VGS
15V
10V
10
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
4.5V
10
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
4.5V
20μs PULSE WIDTH
20μs PULSE WIDTH
1
T C = 25°C
A
1
T J = 150°C
A
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics,
T J = 25 o C
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics,
T J = 150 o C
100
10
T J = 25°C
T J = 150°C
V DS = 25V
2.0
1.5
1.0
0.5
I D = 3.7A
1
4.0
4.5
5.0
5.5
20μs PULSE WIDTH
6.0 6.5 7.0
A
0.0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
V GS = 10V
A
100 120 140 160
V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
T J , Junction Temperature (°C)
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
3
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