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参数资料
| 型号： | IRFL4105TRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223 |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet SOT-223 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 45 毫欧 @ 3.7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 35nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 660pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | IRFL4105TRPBFDKR |
IRFL4105PBF
Q G
V DS
R D
10V
V G
Q GS
Q GD
R G
V GS
D.U.T.
+
- V DD
10V
Charge
Fig 9a. Basic Gate Charge Waveform
Pulse Width ≤ 1 μs
Duty Factor ≤ 0.1 %
Fig 10a. Switching Time Test Circuit
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
V DS
50K ?
90%
- DS
12V
V GS
.2 μ F
.3 μ F
D.U.T.
+
V
10%
V GS
3mA
t d(on)
t r
t d(off)
t f
I G
I D
Current Sampling Resistors
Fig 9b. Gate Charge Test Circuit
1000
100
D = 0.50
0.20
Fig 10b. Switching Time Waveforms
10
0.10
0.05
0.02
1
0.01
P DM
t
1
0.1
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
Notes:
t2
1. Duty factor D = t
1
/t
2
0.01
2. Peak T J = P DM x Z thJA + T A
A
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
10000
t 1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
www.irf.com
5
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PDF描述 |
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