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参数资料
| 型号： | IRFL4105TRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223 |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet SOT-223 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 45 毫欧 @ 3.7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 35nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 660pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | IRFL4105TRPBFDKR |
IRFL4105PbF
300
I D
15V
250
TOP
BOTTOM
1.7A
3.0A
3.7A
VDS
L
DRIVER
200
RG
20V
tp
D.U.T
IAS
0.01 ?
+
- VDD
A
150
100
Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit
50
tp
V (BR)DSS
0
V DD = 25V
25 50
75
100
125
A
150
Starting T J , Junction Temperature (°C)
Fig 12c. Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
I AS
Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms
6
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 445C22K24M57600 | CRYSTAL 24.57600 MHZ 8PF SMD |
| AML11JBB3EA | PUSHBUTTON SS SWITCH |
| 445C22E24M57600 | CRYSTAL 24.57600 MHZ 20PF SMD |
| AML11FBC3EA | PUSHBUTTON SS SWITCH |
| AML11FBC2EA | PUSHBUTTON SS SWITCH |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFL4310 | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N SOT-223 |
| IRFL4310PBF | 功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET200mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFL4310PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N CH 100V 1.6A SOT-223 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N CH, 100V, 1.6A, SOT-223 |
| IRFL4310PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET |
| IRFL4310TR | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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