- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录378637 > IRFM220A (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) N-Channel Power MOSFET(N沟道增强型功率MOS场效应管（漏源电压为200V，导通电阻为0.8Ω，漏电流为1.13A）) PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRFM220A |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | N-Channel Power MOSFET(N沟道增强型功率MOS场效应管（漏源电压为200V，导通电阻为0.8Ω，漏电流为1.13A）) |
| 中文描述： | 1.13 A, 200 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 273K |
| 代理商： | IRFM220A |
N-CHANNEL
POWER MOSFET
Fig 7. Breakdown Voltage vs. Temperature
Fig 8. On-Resistance vs. Temperature
Fig 11. Thermal Response
Fig 10. Max. Drain Current vs. Ambient Temperature
1.2
I
D
Fig 9. Max. Safe Operating Area
P
DM
t
1
t
2
IRFM220A
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
@ Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250
μ
A
B
D
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
@ Notes :
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 2.5 A
R
D
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
10
0
10
1
10
2
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
μ
s
100 ms
DC
100
μ
s
1 ms
10 ms
@ Notes :
1. T
A
= 25
o
C
2. T
J
= 150
o
C
3. Single Pulse
Operation in This Area
is Limited by R
DS(on)
I
D
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
25
50
75
100
125
150
0.0
0.3
0.6
0.9
T
A
, Ambient Temperature [
o
C]
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
-1
10
0
10
1
10
2
single pulse
0.2
0.1
0.01
0.02
0.05
D=0.5
@ Notes :
1. Z
θ
JA
(t)=52
o
C/W Max.
2. Duty Factor, D=t
1
/t
2
3. T
JM
-T
A
=P
DM
*Z
θ
JA
(t)
Z
θ
J
(
t
1
, Square Wave Pulse Duration [sec]
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFM220B | 200V N-Channel MOSFET |
| IRFM224B | 250V N-Channel MOSFET |
| IRFM240 | N?CHANNEL POWER MOSFET |
| IRFM240 | POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA) |
| IRFM5210 | P?CHANNEL MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFM220B | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V N-Channel MOSFET |
| IRFM220BTF | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| IRFM220BTF_FP001 | 功能描述:MOSFET 200V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFM224A | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 920MA I(D) | SOT-223 |
| IRFM224B | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:250V N-Channel MOSFET |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。