- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录381956 > IRFP130 (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) N-CHANNEL POWER MOSFETS PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRFP130 |
| 厂商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | N-CHANNEL POWER MOSFETS |
| 中文描述： | N沟道功率MOSFET |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 354K |
| 代理商： | IRFP130 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFP131 | N-CHANNEL POWER MOSFETS |
| IRFP132 | N-CHANNEL POWER MOSFETS |
| IRFP133 | N-CHANNEL POWER MOSFETS |
| IRFP251 | N-Channel Power Mosfets |
| IRFP252 | N-Channel Power Mosfets |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFP131 | 制造商:SAMSUNG 制造商全称:Samsung semiconductor 功能描述:N-CHANNEL POWER MOSFETS |
| IRFP132 | 制造商:SAMSUNG 制造商全称:Samsung semiconductor 功能描述:N-CHANNEL POWER MOSFETS |
| IRFP133 | 制造商:SAMSUNG 制造商全称:Samsung semiconductor 功能描述:N-CHANNEL POWER MOSFETS |
| IRFP140 | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 31 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFP140_R4941 | 功能描述:MOSFET TO-247 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。