型号: | IRFP130 |
厂商: | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
英文描述: | N-CHANNEL POWER MOSFETS |
中文描述: | N沟道功率MOSFET |
文件页数: | 5/6页 |
文件大小: | 354K |
代理商: | IRFP130 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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IRFP131 | 制造商:SAMSUNG 制造商全称:Samsung semiconductor 功能描述:N-CHANNEL POWER MOSFETS |
IRFP132 | 制造商:SAMSUNG 制造商全称:Samsung semiconductor 功能描述:N-CHANNEL POWER MOSFETS |
IRFP133 | 制造商:SAMSUNG 制造商全称:Samsung semiconductor 功能描述:N-CHANNEL POWER MOSFETS |
IRFP140 | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 31 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRFP140_R4941 | 功能描述:MOSFET TO-247 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |