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参数资料
| 型号： | IRFR1N60A |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)max=7.0ohm, Id=1.4A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（减振钢板基本\u003d 600V电压的Rds（on）最大值\u003d 7.0ohm，身份证\u003d 1.4A的） |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 181K |
| 代理商： | IRFR1N60A |
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0
2
4
6
8
10
12
14
0
4
8
12
16
20
Q , Total Gate Charge (nC)
V
G
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE
I =
13
1.4A
V
= 120V
DS
V
= 300V
DS
V
= 480V
DS
0.1
1
10
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
V = 0 V
T = 25 C
T = 150 C
0.1
1
10
100
10
100
1000
10000
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 150°
= 25°
J
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
D
I
10us
100us
1ms
10ms
1
10
100
1000
10000
1
10
100
1000
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
A
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
iss
C
oss
C
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