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参数资料
| 型号： | IRFR1N60ATRLPBF |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7 欧姆 @ 840mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 14nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 229pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 36W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRFR1N60A, IRFU1N60A, SiHFR1N60A, SiHFU1N60A
www.vishay.com
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
Vishay Siliconix
T J = 150 C
T J = 25 C
10
1
0.1
VGS
TOP
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
4.5V
10
1
°
°
0.01
20μs PULSE WIDTH
T J = 25 ° C
0.1
V DS = 100V
20μs PULSE WIDTH
0.1
1
10
100
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig. 1 - Typical Output Characteristics
V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
Fig. 3 - Typical Transfer Characteristics
10
TOP
VGS
15V
3.0
I D = 1.4A
10V
8.0V
7.0V
6.0V
2.5
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
2.0
1
4.5V
1.5
1.0
0.5
0.1
1
10
20μs PULSE WIDTH
T J = 150 ° C
100
0.0
-60 -40 -20
0
20
40
60
V GS =10V
80 100 120 140 160
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig. 2 - Typical Output Characteristics
T J , Junction Temperature ( ° C)
Fig. 4 - Normalized On-Resistance vs. Temperature
S13-0171-Rev. D, 04-Feb-13
3
Document Number: 91267
For technical questions, contact: hvm@vishay.com
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ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
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PDF描述 |
|---|---|
| ACOL-16.000MHZ-EK | OSCILLATOR 16.000MHZ 3.3V FULLSZ |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFR1N60ATRPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 1.4 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR1N60ATRR | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFR1N60ATRRPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 1.4 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR210 | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 2.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR210A | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 2.7A I(D) | TO-252AA |
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