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参数资料
| 型号： | IRFR1N60ATRLPBF |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 5/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7 欧姆 @ 840mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 14nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 229pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 36W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRFR1N60A, IRFU1N60A, SiHFR1N60A, SiHFU1N60A
www.vishay.com
Vishay Siliconix
1.6
1.2
R g
V GS
V DS
R D
D.U.T.
+
- V DD
10 V
Pulse width ≤ 1 μs
Duty factor ≤ 0.1 %
0.8
Fig. 10a - Switching Time Test Circuit
0.4
0.0
V DS
90 %
25
50
75
100
125
150
10 %
T C , Case Temperature ( ° C)
V GS
Fig. 9 - Maximum Drain Current vs. Case Temperature
t d(on)
t r
t d(off) t f
Fig. 10b - Switching Time Waveforms
10
D = 0.50
1
0.20
0.10
0.05
0.02
P DM
0.1
0.01
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
t 1
t 2
Notes:
1. Duty factor D =
t 1 / t 2
0.01
2. Peak T J = P DM x Z thJC + T C
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t 1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig. 11 - Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
15 V
t p
V DS
V DS
L
Driver
- V DD
R g
20 V
t p
D.U.T
I AS
0.01 Ω
+
A
I AS
Fig. 12a - Unclamped Inductive Test Circuit
Fig. 12b - Unclamped Inductive Waveforms
S13-0171-Rev. D, 04-Feb-13
5
Document Number: 91267
For technical questions, contact: hvm@vishay.com
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ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
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PDF描述 |
|---|---|
| ACOL-16.000MHZ-EK | OSCILLATOR 16.000MHZ 3.3V FULLSZ |
| ABLS-LR-14.31818MHZ-T | CRYSTAL 14.31818MHZ 18PF LOW ESR |
| ACOL-14.31818MHZ-EK | OSCILLATR 14.31818MHZ 3.3VFULLSZ |
| 150104J400EC | CAP FILM 0.1UF 400VDC AXIAL |
| ASEMPC-76.800MHZ-LR-T | OSC 76.800 MHZ CMOS MEMS SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFR1N60ATRPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 1.4 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR1N60ATRR | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFR1N60ATRRPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 1.4 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR210 | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 2.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR210A | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 2.7A I(D) | TO-252AA |
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