- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18566 > IRFR1N60ATRLPBF (Vishay Siliconix)MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRFR1N60ATRLPBF |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7 欧姆 @ 840mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 14nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 229pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 36W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRFR1N60A, IRFU1N60A, SiHFR1N60A, SiHFU1N60A
www.vishay.com
Vishay Siliconix
10000
V GS = 0V, f = 1MHz
10
C rss gd
C iss = C gs + C gd , C ds SHORTED
=C
C oss =C ds +C gd
1000
100
C iss
1
T J = 150 ° C
10
C oss
T J = 25 ° C
1
1
10
C rss
100
1000
A
0.1
0.4
0.6
0.8
V GS = 0 V
1.0 1.2
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig. 5 - Typical Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage
V SD ,Source-to-Drain Voltage (V)
Fig. 7 - Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
20
16
I D = 1.4A
V DS = 480V
V DS = 300V
V DS = 120V
100
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
10
12
8
4
1
10us
100us
1ms
0
0
2
4
6
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 13
8 10 12 14
0.1
T C = 25 ° C
T J = 150 ° C
Single Pulse
10
100
10ms
1000
10000
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig. 6 - Typical Gate Charge vs. Gate-to-Source Voltage
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig. 8 - Maximum Safe Operating Area
S13-0171-Rev. D, 04-Feb-13
4
Document Number: 91267
For technical questions, contact: hvm@vishay.com
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ACOL-16.000MHZ-EK | OSCILLATOR 16.000MHZ 3.3V FULLSZ |
| ABLS-LR-14.31818MHZ-T | CRYSTAL 14.31818MHZ 18PF LOW ESR |
| ACOL-14.31818MHZ-EK | OSCILLATR 14.31818MHZ 3.3VFULLSZ |
| 150104J400EC | CAP FILM 0.1UF 400VDC AXIAL |
| ASEMPC-76.800MHZ-LR-T | OSC 76.800 MHZ CMOS MEMS SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFR1N60ATRPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 1.4 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR1N60ATRR | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFR1N60ATRRPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 1.4 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR210 | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 2.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR210A | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 2.7A I(D) | TO-252AA |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。