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参数资料
| 型号： | IRFR1N60ATRRPBF |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 7/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7 欧姆 @ 840mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 14nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 229pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 36W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRFR1N60A, IRFU1N60A, SiHFR1N60A, SiHFU1N60A
www.vishay.com
Peak Dio d e Recovery d V/ d t Test Circuit
Vishay Siliconix
D.U.T.
+
Circuit layout con s ideration s
? Low s tray inductance
? G round plane
? Low leakage inductance
current tran s former
-
+
-
-
+
R g
?
?
?
?
dV/dt controlled by R g
Driver s ame type a s D.U.T.
I S D controlled by duty factor “D”
D.U.T. - device under te s t
+
-
V DD
Driver gate drive
P.W.
Period
D=
P.W.
Period
V GS = 10 V a
D.U.T. l S D waveform
Rever s e
recovery
current
Body diode forward
current
dI/dt
D.U.T. V D S waveform
Diode recovery
Re-applied
dV/dt
V DD
voltage
Inductor current
Body diode forward drop
Ripple ≤ 5 %
I S D
Note
a. V GS = 5 V for logic level device s
Fig. 14 - For N-Channel
Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon
Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and
reliability data, see www.vishay.com/ppg?91267 .
S13-0171-Rev. D, 04-Feb-13
7
Document Number: 91267
For technical questions, contact: hvm@vishay.com
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ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFR220TRLPBF | MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK |
| IRFR2407TRRPBF | MOSFET N-CH 75V 42A DPAK |
| IRFR2905ZTRRPBF | MOSFET N-CH 55V 42A DPAK |
| IRFR310TRLPBF | MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK |
| IRFR320TRRPBF | MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFR210 | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 2.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR210A | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 2.7A I(D) | TO-252AA |
| IRFR210B | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V N-Channel MOSFET |
| IRFR210BTF | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| IRFR210BTF_FP001 | 功能描述:MOSFET 200V N-Ch B-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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