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参数资料
| 型号： | IRFR2407TRRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 75V 42A DPAK |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 75V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 42A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 26 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 110nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 110W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRFR/U2407PbF
www.irf.com
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFR2905ZTRRPBF | MOSFET N-CH 55V 42A DPAK |
| IRFR310TRLPBF | MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK |
| IRFR320TRRPBF | MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK |
| IRFR3412TRPBF | MOSFET N-CH 100V 48A DPAK |
| IRFR3418TRPBF | MOSFET N-CH 80V 70A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFR24N10D | 功能描述:MOSFET N-CH 100V DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFR24N15D | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:SMPS MOSFET |
| IRFR24N15DHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 150V 24A 3PIN DPAK - Bulk |
| IRFR24N15DPBF | 功能描述:MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 95mOhms 30nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR24N15DTRLP | 功能描述:MOSFET MOSFET, 150V, 24A, 95 mOhm, 30 nC Qg, D-Pak RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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