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参数资料
| 型号： | IRFR2905ZTRRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 5/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 42A DPAK |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 42A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 14.5 毫欧 @ 36A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 44nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1380pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 110W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRFR/U2905ZPbF
70
2.0
60
LIMITED BY PACKAGE
I D = 36A
VGS = 10V
50
1.5
40
30
20
10
1.0
0
25
50 75 100 125 150
T C , Case Temperature (°C)
175
0.5
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180
T J , Junction Temperature (°C)
Fig 9. Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
10
Fig 10. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
1
D = 0.50
0.20
0.1
0.10
0.05
0.02
0.01
τ J
τ J
τ 1
τ 1
R 1
R 1
τ 2
R 2
R 2
τ 2
R 3
R 3
τ 3
τ 3
τ C
τ
Ri (°C/W) τ i (sec)
0.3962 0.00012
0.5693 0.00045
0.01
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Ci= τ i / Ri
Ci i / Ri
0.4129 0.0015
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
0.001
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig11. MaximumEffectiveTransientThermalImpedance,Junction-to-Case
www.irf.com
5
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