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参数资料
| 型号： | IRFR3418 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 546K |
| 代理商： | IRFR3418 |
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
GS
25
50
75
100
125
150
175
0
100
200
300
400
500
600
ID
7.3A
13A
18A
TOP
BOTTOM
Starting T
J
, Junction Temperature (°C)
A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFU3418 | HEXFET Power MOSFET |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRFR3418TRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 80V, 70A, 14 MOHM, 63 NC QG, D-PAK - Tape and Reel |
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