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参数资料
| 型号： | IRFR3704Z |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | CONN RGT ANGLE HDR 12 |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件页数： | 9/11页 |
| 文件大小： | 225K |
| 代理商： | IRFR3704Z |
www.irf.com
9
0-.
6.73 (.265)
6.35 (.250)
- A -
4
1 2 3
6.22 (.245)
5.97 (.235)
- B -
3X0.64 (.025)
0.25 (.010) M A M B
4.57 (.180)
2.28 (.090)
2X0.76 (.030)
1.52 (.060)
1.15 (.045)
1.02 (.040)
1.64 (.025)
5.46 (.215)
5.21 (.205)
1.27 (.050)
0.88 (.035)
2.38 (.094)
2.19 (.086)
1.14 (.045)
0.89 (.035)
0.58 (.023)
0.46 (.018)
6.45 (.245)
5.68 (.224)
0.51 (.020)
MIN.
0.58 (.023)
0.46 (.018)
LEAD ASSIGNMENTS
1 - GATE
2 - DRAIN
3 - SOURCE
4 - DRAIN
10.42 (.410)
9.40 (.370)
NOTES:
1 DIMENSIONING & TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982.
2 CONTROLLING DIMENSION : INCH.
3 CONFORMS TO JEDEC OUTLINE TO-252AA.
4 DIMENSIONS SHOWN ARE BEFORE SOLDER DIP,
SOLDER DIP MAX. +0.16 (.006).
EXAMPLE:
LOT CODE 9U1P
THIS IS AN IRFR120
WITH ASSEMBLY
WEEK = 16
DATE CODE
YEAR = 0
LOGO
RECTIFIER
INTERNATIONAL
ASSEMBLY
LOT CODE
016
1P
IRFU120
9U
Notes: This part marking information applies to devices produced before 02/26/2001
INTERNATIONAL
RECTIFIER
LOGO
34
12
IRFU120
916A
LOT CODE
ASSEMBLY
EXAMPLE:
WITH ASSEMBLY
LOT CODE 1234
THIS IS AN IRFR120
YEAR 9 = 1999
WEEK 16
DATE CODE
LINE A
IN THE ASSEMBLY LINE "A"
ASSEMBLED ON WW 16, 1999
PART NUMBER
Notes: This part marking information applies to devices produced after 02/26/2001
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFU3704Z | HEXFET Power MOSFET |
| IRFR3704 | Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=9.5mohm, Id=75A) |
| IRFU3704 | Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=9.5mohm, Id=75A) |
| IRFR3706CPBF | SMPS MOSFET |
| IRFU3706CPbF | SMPS MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFR3704ZCPBF | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 60A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFR3704ZPBF | 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 8.4mOhms 9.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR3704ZTR | 制造商:International Rectifier 功能描述: 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 20V, 60A, D-PAK, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Dra |
| IRFR3704ZTRLPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 20V 60A 8.4mOhm 9.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR3704ZTRPBF | 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 8.4mOhms 9.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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