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参数资料
| 型号： | IRFR6215 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=-150V, Rds(on)=0.295ohm, Id=-13A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（减振钢板基本\u003d-为150V，的Rds（on）\u003d 0.295ohm，身份证\u003d- 13A条） |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 141K |
| 代理商： | IRFR6215 |
IRFR/U6215
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0
4
8
12
16
20
0
20
40
60
80
G
A
-
Q , Total Gate Charge (nC)
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 13
I = -6.6A
V = -120V
V = -75V
V = -30V
0.1
1
10
100
0.2
0.6
1.0
1.4
1.8
T = 25°C
V = 0V
G S
S
A
-
-V , Source-to-Drain Voltage (V)
T = 175°C
1
10
100
1
10
100
1000
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
10ms
A
-
D
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
10μs
100μs
1ms
T = 25°C
T = 175°C
Single Pulse
0
400
800
1200
1600
2000
1
10
100
C
A
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
iss
C
oss
C
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