参数资料
型号: IRFR9020TRLPBF
厂商: Vishay Siliconix
文件页数: 5/11页
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK
标准包装: 3,000
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 50V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 9.9A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 280 毫欧 @ 5.7A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 14nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 490pF @ 25V
功率 - 最大: 42W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装: D-Pak
包装: 带卷 (TR)
IRFR9020, IRFU9020, SiHFR9020, SiHFU9020
www.vishay.com
Fig. 11 - Typical On-Resistance vs. Drain Current
Vishay Siliconix
Fig. 13 - Maximum Avalanche vs. Starting Junction
Temperature
Fig. 14 - Unclamped Inductive Test Circuit
I AS
Fig. 12 - Maximum Drain Current vs. Case Temperature
V DS
I L
V DD
t p
V DS
Fig. 15 - Unclamped Inductive Waveforms
S13-0169-Rev. D, 04-Feb-13
5
Document Number: 90350
For technical questions, contact: hvm@vishay.com
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PDF描述
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