- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录446 > IRFR9024NTRR (International Rectifier)MOSFET P-CH 55V 11A DPAK Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IRFR9024NTRR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 7/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 55V 11A DPAK |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 11A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 175 毫欧 @ 6.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 19nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 350pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 38W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRFR/U9024N
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
D.U.T *
+
?
Circuit Layout Considerations
? Low Stray Inductance
? Ground Plane
? Low Leakage Inductance
Current Transformer
-
+
?
-
-
?
+
?
V GS
R G
? dv/dt controlled by R G
? I SD controlled by Duty Factor "D"
? D.U.T. - Device Under Test
+
-
V DD
*
Reverse Polarity of D.U.T for P-Channel
Driver Gate Drive
P.W.
Period
D=
P.W.
Period
[ V GS =10V ] ***
D.U.T. I SD Waveform
Reverse
Recovery
Body Diode Forward
Current
Current
di/dt
D.U.T. V DS Waveform
Diode Recovery
Re-Applied
dv/dt
[ V DD ]
Voltage
Inductor Curent
Body Diode
Ripple ≤ 5%
Forward Drop
[ I SD ]
*** V GS = 5.0V for Logic Level and 3V Drive Devices
Fig 14. For P-Channel HEXFETS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFR9024TRRPBF | MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK |
| IRFR9110TRRPBF | MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK |
| IRFR9120NTRR | MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK |
| IRFS11N50ATRR | MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK |
| IRFS17N20DTRLP | MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFR9024NTRRPBF | 功能描述:MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 175mOhms 12.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR9024PBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 8.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR9024TR | 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 8.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR9024TRL | 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 8.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR9024TRLPBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 8.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。