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参数资料
| 型号： | IRFR9220 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=1.5ohm, Id=-3.6A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（减振钢板基本\u003d-为200V，的Rds（on）\u003d 1.5ohm，身份证\u003d- 3.6A） |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 99K |
| 代理商： | IRFR9220 |
4-91
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
FIGURE 1. NORMALIZED POWER DISSIPATION vs CASE
TEMPERATURE
FIGURE 2. MAXIMUM CONTINUOUS DRAIN CURRENT vs
CASE TEMPERATURE
FIGURE 3. MAXIMUM TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE
FIGURE 4. FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
FIGURE 5. PEAK CURRENT CAPABILITY
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
25
50
75
100
125
150
P
T
C
, CASE TEMPERATURE (
o
C)
-2
-4
-1
0
25
50
75
100
125
150
I
D
,
T
C
, CASE TEMPERATURE (
o
C)
-3
t
1
, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
10
-5
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-4
0.01
10
0.1
1
Z
θ
J
,
SINGLE PULSE
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t
1
/t
2
PEAK T
J
= P
DM
x Z
θ
JC
+ T
C
P
DM
t
1
t
2
-20
-10
-1
-0.1-1
-10
-100
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
100
μ
s
10ms
100ms
DC
V
DSS
MAX = -200V
1ms
-500
T
C
= 25
o
C
T
J
= MAX RATED
OPERATION IN THIS
AREA MAY BE
LIMITED BY r
DS(ON)
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
-10
-50
t, PULSE WIDTH (s)
I
D
,
V
GS
= -20V
V
GS
= -10V
TRANSCONDUCTANCE
MAY LIMIT CURRENT
IN THIS REGION
FOR TEMPERATURES ABOVE 25
o
C
DERATE PEAK CURRENT
CAPABILITY AS FOLLOWS:
-1
I
I25
150
-------125
T
C
–
=
T
C
= 25
o
C
IRFR9220, IRFU9220
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFU9220 | Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=1.5ohm, Id=-3.6A) |
| IRFRU3910 | Power MOSFET(Vdss=100V, Rds=0.115ohm, Id=16A) |
| IRFR3910 | RECT SCHOTTKY 60V 5A POWERMITE3 |
| IRFU3910 | RECTIFIER SCHOTTKY SINGLE 5A 60V 100A-Ifsm 0.66Vf 0.2A-IR POWERMITE-3 5K/REEL |
| IRFRU5505 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFR9220PBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 200V 3.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR9220T_R4941 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR9220TR | 功能描述:MOSFET P-Chan 200V 3.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR9220TRL | 功能描述:MOSFET P-Chan 200V 3.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR9220TRLPBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 200V 3.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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