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参数资料
| 型号： | IRFS33N15DTRLP |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 6/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 33A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 56 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 90nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2020pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRFB/IRFS/IRFSL33N15DPbF
15V
800
TOP
I D
8.1A
VDS
L
DRIVER
600
BOTTOM
14A
20A
RG
20V
tp
D.U.T
IAS
0.01 ?
+
-
VDD
A
400
Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit
200
V (BR)DSS
tp
0
25
50
75
100
125
150
175
Starting T J , Junction Temperature ( C)
°
Fig 12c. Maximum Avalanche Energy
I AS
Vs. Drain Current
Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Q G
50K ?
- DS
10V
Q GS
Q GD
12V
.2 μ F
.3 μ F
D.U.T.
+
V
V G
V GS
3mA
6
Charge
Fig 13a. Basic Gate Charge Waveform
I G I D
Current Sampling Resistors
Fig 13b. Gate Charge Test Circuit
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFS33N15DPBF | MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK |
| B32529C564J | FILM CAP 0.5600UF 5% 63V |
| B32522N6104K | FILM CAP 0.1UF 10% 450V |
| A13K1H-DA | SWITCH ROCKER SPDT 0.4VA 28V |
| B32521E6473K | FILM CAP 0.0470UF 10% 400V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFS340 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 6.9A I(D) | SOT-186VAR |
| IRFS340A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Advanced Power Mosfet |
| IRFS340B | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFS341 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 6.9A I(D) | SOT-186VAR |
| IRFS350 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 10.4A I(D) | SOT-186VAR |
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