参数资料
型号: IRFS33N15DTRLP
厂商: International Rectifier
文件页数: 8/12页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK
标准包装: 800
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 150V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 33A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 56 毫欧 @ 20A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 5.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 90nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2020pF @ 25V
功率 - 最大: 3.8W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: D2PAK
包装: 带卷 (TR)
IRFB/IRFS/IRFSL33N15DPbF
TO-220AB Package Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
2.87 (.113)
2.62 (.103)
10.54 (.415)
10.29 (.405)
3.78 (.149)
3.54 (.139)
-A-
4.69 (.185)
4.20 (.165)
-B-
1.32 (.052)
1.22 (.048)
6.47 (.255)
15.24 (.600)
4
6.10 (.240)
HEXFET
IGBTs, CoPACK
14.84 (.584)
1.15 (.045)
MIN
LEAD ASSIGNMENTS
LEAD ASSIGNMENTS
1 - GATE
1- GATE - DRAIN
1- GATE
14.09 (.555)
13.47 (.530)
1
2
3
4.06 (.160)
3.55 (.140)
2
3 -
4 -
2- DRAIN SOURCE 2- COLLECTOR
3- SOURCE DRAIN 3- EMITTER
4- DRAIN 4- COLLECTOR
3X
3X
3X
1.40 (.055)
1.15 (.045)
0.93 (.037)
0.69 (.027)
0.36 (.014)
M
B A M
0.55 (.022)
0.46 (.018)
2.92 (.115)
2.54 (.100)
2X
NOTES:
1 DIMENSIONING & TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982.
2 CONTROLLING DIMENSION : INCH
2.64 (.104)
3 OUTLINE CONFORMS TO JEDEC OUTLINE TO-220AB.
4 HEATSINK & LEAD MEASUREMENTS DO NOT INCLUDE BURRS.
TO-220AB Part Marking Information
E XAMPL E : T HIS IS AN IR F 1010
8
L OT CODE 1789
AS S E MB L E D ON WW 19, 1997
IN T H E AS S E MB L Y L INE "C"
Note: "P" in assembly line
position indicates "Lead-Free"
INT E R NAT IONAL
R E CT IF IE R
L OGO
AS S E MB L Y
L OT CODE
PAR T NU MB E R
DAT E CODE
YE AR 7 = 1997
WE E K 19
L INE C
www.irf.com
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PDF描述
IRFS33N15DPBF MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK
B32529C564J FILM CAP 0.5600UF 5% 63V
B32522N6104K FILM CAP 0.1UF 10% 450V
A13K1H-DA SWITCH ROCKER SPDT 0.4VA 28V
B32521E6473K FILM CAP 0.0470UF 10% 400V
相关代理商/技术参数
参数描述
IRFS340 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 6.9A I(D) | SOT-186VAR
IRFS340A 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Advanced Power Mosfet
IRFS340B 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFS341 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 6.9A I(D) | SOT-186VAR
IRFS350 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 10.4A I(D) | SOT-186VAR