- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录384498 > IRFS9N60A (International Rectifier) SMPS MOSFET PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRFS9N60A |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | SMPS MOSFET |
| 中文描述： | MOSFET的开关电源 |
| 文件页数： | 1/9页 |
| 文件大小： | 105K |
| 代理商： | IRFS9N60A |
IRFS9N60A
HEXFET
Power MOSFET
9/23/99
www.irf.com
1
Parameter
Max.
9.2
5.8
37
170
1.3
± 30
5.0
Units
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery dv/dt
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
A
W
W/°C
V
V/ns
V
GS
dv/dt
T
J
T
STG
-55 to + 150
300 (1.6mm from case )
°C
SMPS MOSFET
Absolute Maximum Ratings
l
Switch Mode Power Supply ( SMPS )
l
Uninterruptable Power Supply
l
High Speed Power Switching
Benefits
l
Low Gate Charge Qg results in Simple
Drive Requirement
l
Improved Gate, Avalanche and dynamic
dv/dt Ruggedness
l
Fully Characterized Capacitance and
Avalanche Voltage and Current
Applications
V
DSS
600V
R
DS
(on) max
0.75
I
D
9.2A
Applicable Off Line SMPS Topologies:
l
Active Clamped Forward
l
Main Switch
Notes
through
are on page 9
S
D
G
PD - 91817A
D
2
Pak
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFSL9N60A | SMPS MOSFET |
| IRFU024 | HEXFET POWER MOSFET |
| IRFR024 | HEXFET POWER MOSFET |
| IRFU110 | 4.7A, 100V, 0.540 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
| IRFR110 | 4.7A, 100V, 0.540 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFS9N60APBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 9.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFS9N60ATRL | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 9.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFS9N60ATRLPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 9.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFS9N60ATRR | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 9.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFS9N60ATRRPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 9.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。