型号: | IRFS9N60A |
厂商: | International Rectifier |
英文描述: | SMPS MOSFET |
中文描述: | MOSFET的开关电源 |
文件页数: | 9/9页 |
文件大小: | 105K |
代理商: | IRFS9N60A |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
IRFSL9N60A | SMPS MOSFET |
IRFU024 | HEXFET POWER MOSFET |
IRFR024 | HEXFET POWER MOSFET |
IRFU110 | 4.7A, 100V, 0.540 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
IRFR110 | 4.7A, 100V, 0.540 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
IRFS9N60APBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 9.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRFS9N60ATRL | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 9.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRFS9N60ATRLPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 9.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRFS9N60ATRR | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 9.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRFS9N60ATRRPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 9.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |