参数资料
型号: IRFS9N60APBF
厂商: International Rectifier
英文描述: SMPS MOSFET
中文描述: MOSFET的开关电源
文件页数: 3/9页
文件大小: 244K
代理商: IRFS9N60APBF
www.irf.com
3
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 25 C
TOP
BOTTOM
VGS
5.5V
4.7V
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
4.7V
1
10
100
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 150 C
TOP
BOTTOM
VGS
15V
7.0V
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
4.7V
0.1
1
10
100
4.0
5.0
V , Gate-to-Source Voltage (V)
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
VDS
20μs PULSE WIDTH
I
D
T = 25 C
T = 150 C
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
T , Junction Temperature ( C)
R
(
D
V
=
I =
GS
10V
9.2A
相关PDF资料
PDF描述
IRFS9N60A SMPS MOSFET
IRFSL9N60A SMPS MOSFET
IRFU024 HEXFET POWER MOSFET
IRFR024 HEXFET POWER MOSFET
IRFU110 4.7A, 100V, 0.540 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
相关代理商/技术参数
参数描述
IRFS9N60ATRL 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 9.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFS9N60ATRLPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 9.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFS9N60ATRR 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 9.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFS9N60ATRRPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 9.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFS9Z30 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 12A I(D) | SOT-186