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参数资料
型号： IRFSL3207PBF
厂商： International Rectifier
英文描述： HEXFET㈢Power MOSFET
中文描述： ㈢的HEXFET功率MOSFET
文件页数： 1/12页
文件大小： 387K
代理商： IRFSL3207PBF
03/06/06
Benefits
Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt
Ruggedness
Fully Characterized Capacitance and Avalanche
SOA
Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability
Lead-Free
www.irf.com
1
D
2
Pak
IRFS3207PbF
TO-220AB
IRFB3207PbF
TO-262
IRFSL3207PbF
IRFB3207PbF
IRFS3207PbF
IRFSL3207PbF
HEXFET Power MOSFET
Applications
High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS
Uninterruptible Power Supply
High Speed Power Switching
Hard Switched and High Frequency Circuits
S
D
G
S
D
G
S
D
G
S
D
G
Absolute Maximum Ratings
Symbol
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
Parameter
Units
A
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
Maximum Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
(1.6mm from case)
Mounting torque, 6-32 or M3 screw
W
W/°C
V
V
GS
dV/dt
T
J
T
STG
V/ns
°C
Avalanche Characteristics
E
AS (Thermally limited)
I
AR
E
AR
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
mJ
A
mJ
Thermal Resistance
Symbol
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
R
θ
JA
Parameter
Typ.
–––
0.50
–––
–––
Max.
0.50
–––
62
40
Units
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat Greased Surface , TO-220
Junction-to-Ambient, TO-220
Junction-to-Ambient (PCB Mount) , D
2
Pak
°C/W
300
Max.
170
120
720
300
2.0
910
See Fig. 14, 15, 16a, 16b,
5.8
-55 to + 175
± 20
10lb in (1.1N m)
V
DSS
R
DS(on)
typ.
max.
I
D
75V
3.6m
4.5m
170A
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PDF描述
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参数描述
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IRFSL3307 功能描述:MOSFET N-CH 75V 130A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
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IRFSL33N15D 功能描述:MOSFET N-CH 150V 33A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
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