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参数资料
| 型号： | IRFSL4310ZPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件页数： | 1/11页 |
| 文件大小： | 437K |
| 代理商： | IRFSL4310ZPBF |
4/27/07
www.irf.com
1
HEXFET Power MOSFET
Benefits
Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt
Ruggedness
Fully Characterized Capacitance and Avalanche
SOA
Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability
Lead-Free
Applications
High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS
Uninterruptible Power Supply
High Speed Power Switching
Hard Switched and High Frequency Circuits
IRFB4310ZPbF
IRFS4310ZPbF
IRFSL4310ZPbF
D
2
Pak
IRFS4310ZPbF
TO-220AB
IRFB4310ZPbF
TO-262
IRFSL4310ZPbF
S
D
G
S
D
G
S
D
G
D
D
D
G
D
S
Gate
Drain
Source
S
D
G
V
DSS
R
DS(on)
typ.
max.
I
D
(Silicon Limited)
I
D
(Package Limited)
100V
4.8m
6.0m
127A
75A
Absolute Maximum Ratings
Symbol
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
D
@ T
C
= 25°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
Parameter
Units
A
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V (Silicon Limited)
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V (Silicon Limited)
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V (Package Limited)
Pulsed Drain Current
Maximum Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
(1.6mm from case)
Mounting torque, 6-32 or M3 screw
Avalanche Characteristics
E
AS (Thermally limited)
Single Pulse Avalanche Energy
I
AR
Avalanche Current
E
AR
Repetitive Avalanche Energy
Thermal Resistance
Symbol
Parameter
R
θ
JC
Junction-to-Case
R
θ
CS
Case-to-Sink, Flat Greased Surface , TO-220
R
θ
JA
Junction-to-Ambient, TO-220
R
θ
JA
Junction-to-Ambient (PCB Mount) , D
2
Pak
W
W/°C
V
V
GS
dv/dt
T
J
T
STG
V/ns
°C
mJ
A
mJ
Typ.
–––
0.50
–––
–––
Max.
0.6
–––
62
40
Units
°C/W
130
See Fig. 14, 15, 22a, 22b,
250
1.7
18
-55 to + 175
± 20
10lb in (1.1N m)
300
Max.
127
90
75
560
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFS4410ZPBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRFSL4410ZPBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRFS9N60APBF | SMPS MOSFET |
| IRFS9N60A | SMPS MOSFET |
| IRFSL9N60A | SMPS MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFSL4321PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 150V 83A 15mOhm 71nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFSL4410 | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 96A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFSL4410PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 96A 10mOhm 120nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFSL4410ZPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 97A 9mOhm 83nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFSL4510PBF | 功能描述:MOSFET N CH 100V TO262 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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