参数资料
型号: IRFSL4310ZPBF
厂商: International Rectifier
英文描述: HEXFET Power MOSFET
中文描述: HEXFET功率MOSFET
文件页数: 6/11页
文件大小: 437K
代理商: IRFSL4310ZPBF
6
www.irf.com
Fig 16.
Threshold Voltage Vs. Temperature
-75
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150 175
TJ , Temperature ( °C )
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
VG
ID = 1.0A
ID = 1.0mA
ID = 250
μ
A
ID = 150
μ
A
100
200
300
400
500
600
700
800
900 1000
dif / dt - (A /
μ
s)
0
4
8
12
16
20
24
IR
IF = 30A
VR = 85V
TJ = 125°C
TJ = 25°C
100
200
300
400
500
600
700
800
900 1000
dif / dt - (A /
μ
s)
0
100
200
300
400
500
600
QR
IF = 45A
VR = 85V
TJ = 125°C
TJ = 25°C
100
200
300
400
500
600
700
800
900 1000
dif / dt - (A /
μ
s)
0
100
200
300
400
500
600
QR
IF = 30A
VR = 85V
TJ = 125°C
TJ = 25°C
100
200
300
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dif / dt - (A /
μ
s)
0
4
8
12
16
20
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IR
IF = 45A
VR = 85V
TJ = 125°C
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IRFSL4410ZPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 97A 9mOhm 83nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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