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参数资料
| 型号： | IRFSL3307ZPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件页数： | 1/11页 |
| 文件大小： | 847K |
| 代理商： | IRFSL3307ZPBF |
05/31/07
Benefits
Improved Gate, Avalanche and Dynamic
dv/dt Ruggedness
Fully Characterized Capacitance and
Avalanche SOA
Enhanced body diode dV/dt and dI/dt
Capability
www.irf.com
1
IRFB3307ZPbF
IRFS3307ZPbF
IRFSL3307ZPbF
Applications
High Efficiency Synchronous Rectification in
SMPS
Uninterruptible Power Supply
High Speed Power Switching
Hard Switched and High Frequency Circuits
HEXFET Power MOSFET
G
D
S
Gate
Drain
Source
S
D
G
D
S
G
D
S
D
G
TO-220AB
IRFB3307ZPbF
D
2
Pak
IRFS3307ZPbF
TO-262
IRFSL3307ZPbF
S
D
G
D
Absolute Maximum Ratings
Symbol
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
D
@ T
C
= 25°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
Parameter
Units
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V (Silicon Limited)
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V (Package Limited)
Pulsed Drain Current
Maximum Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
(1.6mm from case)
Mounting torque, 6-32 or M3 screw
Avalanche Characteristics
E
AS (Thermally limited)
Single Pulse Avalanche Energy
I
AR
Avalanche Current
E
AR
Repetitive Avalanche Energy
Thermal Resistance
Symbol
Parameter
R
θ
JC
Junction-to-Case
R
θ
CS
Case-to-Sink, Flat Greased Surface , TO-220
R
θ
JA
Junction-to-Ambient, TO-220
R
θ
JA
Junction-to-Ambient (PCB Mount) , D
2
Pak
A
W
W/°C
V
V/ns
°C
V
GS
dv/dt
T
J
T
STG
mJ
A
mJ
Typ.
–––
0.50
–––
–––
Max.
0.65
–––
62
40
Units
°C/W
300
Max.
120
88
75
480
230
1.5
140
75
23
6.7
-55 to + 175
± 20
10lb in (1.1N m)
V
DSS
R
DS(on)
typ.
max.
I
D (Silicon Limited)
I
D (Package Limited)
75V
4.6m
5.8m
120A
75A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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