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参数资料
型号： IRFSL3307ZPBF
厂商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件页数： 4/11页
文件大小： 847K
代理商： IRFSL3307ZPBF
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 10.
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
Fig 11.
Typical C
OSS
Stored Energy
Fig 9.
Maximum Drain Current vs. Case Temperature
Fig 12.
Maximum Avalanche Energy vs. DrainCurrent
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
IS
TJ = 25°C
TJ = 175°C
VGS = 0V
25
50
75
100
125
150
175
TC , Case Temperature (°C)
0
20
40
60
80
100
120
ID
Limited By Package
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180
TJ , Temperature ( °C )
65
70
75
80
85
90
95
100
V(
Id = 5mA
20
30
40
50
60
70
80
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
E
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
10000
ID
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
Tc = 25°C
Tj = 175°C
Single Pulse
100μsec
1msec
10msec
DC
25
50
75
100
125
150
175
Starting TJ , Junction Temperature (°C)
0
100
200
300
400
500
600
EA
ID
TOP 15A
26A
BOTTOM 75A
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