- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录384498 > IRFSL3307ZPBF (International Rectifier) HEXFET Power MOSFET PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRFSL3307ZPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件页数： | 6/11页 |
| 文件大小： | 847K |
| 代理商： | IRFSL3307ZPBF |
6
www.irf.com
Fig 16.
Threshold Voltage vs. Temperature
!
!
-75 -50 -25
0
25 50 75 100 125 150 175 200
TJ , Temperature ( °C )
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
VG
ID = 150μA
ID = 250μA
ID = 1.0mA
ID = 1.0A
0
200
400
600
800
1000
diF /dt (A/μs)
0
5
10
15
20
IR
IF = 48A
VR = 64V
TJ = 25°C
TJ = 125°C
0
200
400
600
800
1000
diF /dt (A/μs)
20
100
180
260
340
420
QR
IF = 48A
VR = 64V
TJ = 25°C
TJ = 125°C
0
200
400
600
800
1000
diF /dt (A/μs)
0
5
10
15
20
IR
IF = 72A
VR = 64V
TJ = 25°C
TJ = 125°C
0
200
400
600
800
1000
diF /dt (A/μs)
20
100
180
260
340
420
QR
IF = 72A
VR = 64V
TJ = 25°C
TJ = 125°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFS4310ZPBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRFSL4310ZPBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRFS4410ZPBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRFSL4410ZPBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRFS9N60APBF | SMPS MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFSL33N15D | 功能描述:MOSFET N-CH 150V 33A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFSL33N15DPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N D2-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N, D2-PAK |
| IRFSL33N15DTRRP | 功能描述:MOSFET N-CH 150V 33A TO-262-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFSL3507 | 功能描述:MOSFET N-CH 75V 97A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFSL3507PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 75V, 97A, 8.8 MOHM, 88 NC QG, TO-262 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 75V 97A 3PIN TO-262 - Rail/Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。