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参数资料
型号： IRFSL3307ZPBF
厂商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件页数： 3/11页
文件大小： 847K
代理商： IRFSL3307ZPBF
www.irf.com
3
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
Fig 4.
Normalized On-Resistance vs. Temperature
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 6.
Typical Gate Charge vs. Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
ID
VGS
15V
10V
8.0V
6.0V
5.5V
5.0V
4.8V
4.5V
TOP
BOTTOM
≤
60μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
4.5V
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
ID
4.5V
≤
60μs PULSE WIDTH
Tj = 175°C
VGS
15V
10V
8.0V
6.0V
5.5V
5.0V
4.8V
4.5V
TOP
BOTTOM
2
3
4
5
6
7
8
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
ID
TJ = 25°C
TJ = 175°C
VDS = 25V
≤
60μs PULSE WIDTH
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
100
1000
10000
100000
C
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
Coss
Crss
Ciss
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180
TJ , Junction Temperature (°C)
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
RD
ID = 72A
VGS = 10V
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
QG, Total Gate Charge (nC)
0.0
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
12.0
VG
VDS= 60V
VDS= 38V
VDS= 15V
ID= 72A
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