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参数资料
| 型号： | IRFU214BTU_FP001 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 250V 2.2A IPAK |
| 标准包装： | 70 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2 欧姆 @ 1.1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 275pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
Typical Characteristics
1.2
(Continued)
3.0
2.5
1.1
2.0
1.0
1.5
1.0
0.9
0.8
※ Notes :
1. V GS = 0 V
2. I D = 250 μ A
0.5
0.0
※ Notes :
1. V GS = 10 V
2. I D = 1.4 A
-100
-50
0
50
100
150
200
-100
-50
0
50
100
150
200
T J , Junction Temperature [ C]
T J , Junction Temperature [ C]
o
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs Temperature
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
2.5
o
Figure 8. On-Resistance Variation
vs Temperature
10
1
100 μ s
2.0
10
0
10 ms
1 ms
1.5
DC
1.0
10
-1
※ Notes :
1. T C = 25 C
2. T J = 150 C
o
o
3. Single Pulse
0.5
10
10
10
10
-2
0
1
2
0.0
25
50
75
100
125
150
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
T C , Case Temperature [ ℃ ]
Figure 10. Maximum Drain Current
vs Case Temperature
D = 0 .5
※ N o te s :
10
0
0 .2
1 . Z θ J C (t) = 5 .0 8 ℃ /W M a x .
2 . D u ty F a c to r, D = t 1 /t 2
3 . T J M - T C = P D M * Z θ J C (t)
0 .1
0 .0 5
0 .0 2
P DM
10
-1
0 .0 1
s in g le p u ls e
t 1
t 2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t 1 , S q u a re W a v e P u ls e D u ra tio n [s e c ]
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. B, November 2001
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFU540ZPBF | MOSFET N-CH 100V 35A IPAK |
| IRFW630BTM_FP001 | MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK |
| IRFZ14STRR | MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK |
| IRFZ24NSTRR | MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK |
| IRFZ24STRRPBF | MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFU214PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 2.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFU220 | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 4.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFU220_R4941 | 功能描述:MOSFET TO-251AA N-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFU220A | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 4.6A I(D) | TO-251AA |
| IRFU220B | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V N-Channel MOSFET |
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