参数资料
型号: IRFU214BTU_FP001
厂商: Fairchild Semiconductor
文件页数: 5/9页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 250V 2.2A IPAK
标准包装: 70
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 250V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 2.2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 2 欧姆 @ 1.1A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 10.5nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 275pF @ 25V
功率 - 最大: 2.5W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
供应商设备封装: I-Pak
包装: 管件
Gate Charge Test Circuit & Waveform
Same Type
V GS
12V
200nF
50K Ω
300nF
as DUT
10V
Q g
V GS
V DS
Q gs
Q gd
DUT
3mA
Charge
Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
V GS
V DS
R L
V DD
V DS
90%
R G
10V
DUT
V GS
10%
t d(on)
t on
t r
t d(off)
t off
t f
Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
BV DSS
E AS = ---- L I AS2 --------------------
BV DSS - V DD
R G
V DS
I D
L
V DD
BV DSS
I AS
1
2
I D (t)
10V
t p
DUT
V DD
t p
Time
V DS (t)
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. B, November 2001
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PDF描述
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相关代理商/技术参数
参数描述
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