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参数资料
| 型号： | IRFU3910 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 2/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 16A I-PAK |
| 标准包装： | 75 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 16A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 115 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 44nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 640pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 79W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRFU3910 |
IRFR/U3910
Electrical Characteristics @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units Conditions
V (BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
100
–––
––– V V GS = 0V, I D = 250μA
? V (BR)DSS / ? T J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
0.12
–––
V/°C
Reference to 25°C, I D = 1mA
––– R G = 12 ?
R DS(on)
V GS(th)
g fs
I DSS
I GSS
Q g
Q gs
Q gd
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Static Drain-to-Source On-Resistance
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
Drain-to-Source Leakage Current
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
–––
2.0
6.4
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
6.4
27
37
25
0.115 V GS = 10V, I D = 10A ?
4.0 V V DS = V GS , I D = 250μA
––– S V DS = 50V, I D = 9.0A ?
25 V DS = 100V, V GS = 0V
μA
250 V DS = 80V, V GS = 0V, T J = 150°C
100 V GS = 20V
nA
-100 V GS = -20V
44 I D = 9.0A
6.2 nC V DS = 80V
21 V GS = 10V, See Fig. 6 and 13 ??
––– V DD = 50V
––– I D = 9.0A
ns
––– R D = 5.5 ?, See Fig. 10 ??
L D
Internal Drain Inductance
–––
4.5
–––
nH
Between lead,
6mm (0.25in.)
D
L S
Internal Source Inductance
–––
7.5
–––
from package
and center of die contact ?
G
S
C iss
C oss
C rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
–––
–––
640
160
88
––– V GS = 0V
––– pF V DS = 25V
––– ? = 1.0MHz, See Fig. 5 ?
Source-Drain Ratings and Characteristics
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I S
I SM
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode) ??
––– –––
––– –––
16
60
A
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
G
D
S
V SD
t rr
Q rr
t on
Notes:
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
Forward Turn-On Time
––– ––– 1.3 V T J = 25°C, I S = 9.0A, V GS = 0V ?
––– 130 190 ns T J = 25°C, I F = 9.0A
––– 650 970 nC di/dt = 100A/μs ??
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L S +L D )
? Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature. ( See fig. 11 )
? V DD = 25V, starting T J = 25°C, L = 3.1mH
R G = 25 ? , I AS = 9.0A. (See Figure 12)
? Pulse width ≤ 300μs; duty cycle ≤ 2%
? This is applied for I-PAK, Ls of D-PAK is measured between lead and
center of die contact
? I SD ≤ 9.0A, di/dt ≤ 520A/μs, V DD ≤ V (BR)DSS , ? Uses IRF530N data and test conditions
T J ≤ 175°C
** When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 Material ) .
For recommended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994
2
www.irf.com
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFU3910HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-251 |
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| IRFU3911PBF | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 14A I-PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFU410 | 制造商:INTERSIL 制造商全称:Intersil Corporation 功能描述:1.5A, 500V, 7.000 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
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