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参数资料
| 型号： | IRFU3910 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 16A I-PAK |
| 标准包装： | 75 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 16A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 115 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 44nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 640pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 79W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRFU3910 |
IRFR/U3910
1200
1000
C iss
V GS
C is s
C rss
C os s
=
=
=
=
0V , f = 1M H z
C g s + C gd , C ds S H O R T E D
C gd
C ds + C gd
20
16
I D = 9 .0A
V D S = 80 V
V D S = 50 V
V D S = 20 V
800
12
600
C oss
8
400
C rs s
200
4
FO R TE S T C IR C U IT
0
1
10
V D S , Drain-to-S ourc e Voltage (V)
100
A
0
0
5
S E E F IG U R E 1 3
10 15 20 25 30 35 40
Q G , T otal G ate C harge (nC )
45
A
100
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
1000
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
O P E R A TIO N IN TH IS A R E A L IM ITE D
B Y R D S (o n)
100
T J = 1 75 °C
10
T J = 2 5°C
10μ s
10
100μ s
V G S = 0 V
1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4 1.6
A
1
1
T C = 25 °C
T J = 17 5°C
S ing le P u lse
10
1m s
10m s
100
A
1000
4
V S D , S ourc e-to-D rain V oltage (V )
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
V D S , D rain-to-S ource V oltage (V )
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBD4448HCDW-7-F | DIODE SW ARRAY 80V 200MW SOT363 |
| P51-750-A-AD-D-5V-000-000 | SENSOR 750PSI 7/16-20 UNF 1-5V |
| P51-200-G-J-I36-5V-000-000 | SENSOR 200PSI 3/8-24UNF 1-5V |
| P51-50-A-F-M12-5V-000-000 | SENSOR 50PSI 1/4-18 NPT 1-5V |
| P51-75-S-I-M12-4.5OVP-000-000 | SENSOR 75PSI 7/16-20 UNF .5-4.5V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFU3910HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-251 |
| IRFU3910PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 15A 115mOhm 29.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFU3911 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:SMPS MOSFET |
| IRFU3911PBF | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 14A I-PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFU410 | 制造商:INTERSIL 制造商全称:Intersil Corporation 功能描述:1.5A, 500V, 7.000 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
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