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参数资料
| 型号： | IRFU3910 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 8/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 16A I-PAK |
| 标准包装： | 75 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 16A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 115 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 44nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 640pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 79W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRFU3910 |
IRFR/U3910
Package Outline
TO-252AA Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
2 .3 8 (.0 9 4 )
5 .4 6 (.2 1 5 )
5 .2 1 (.2 0 5 )
6 .7 3 (.2 6 5 )
6 .3 5 (.2 5 0 )
-A -
1 .2 7 (.0 5 0 )
0 .8 8 (.0 3 5 )
2 .1 9 (.0 8 6 )
1 .1 4 (.0 4 5 )
0 .8 9 (.0 3 5 )
0 .5 8 (.0 2 3 )
0 .4 6 (.0 1 8 )
4
6 .4 5 (.2 4 5 )
5 .6 8 (.2 2 4 )
6 .2 2 (.2 4 5 )
5 .9 7 (.2 3 5 )
1 0 .4 2 (.4 1 0 )
1 .0 2 (.0 4 0 )
1 .6 4 (.0 2 5 )
1
2
3
9 .4 0 (.3 7 0 )
L E A D A S S IG N M E N T S
1 - GATE
0 .5 1 (.0 2 0 )
2 - D R A IN
1 .5 2 (.0 6 0 )
-B -
M IN .
3 - SOURCE
4 - D R A IN
1 .1 5 (.0 4 5 )
3X
0 .8 9 (.0 3 5 )
0 .6 4 (.0 2 5 )
0 .5 8 (.0 2 3 )
1 .1 4 (.0 4 5 )
2 X 0 .7 6 (.0 3 0 )
2 .2 8 (.0 9 0 )
0 .2 5 (.0 1 0 )
M A M B
N O TE S :
0 .4 6 (.0 1 8 )
1 D IM E N S IO N IN G & T O L E R A N C IN G P E R A N S I Y 1 4 .5 M , 1 9 8 2 .
4 .5 7 (.1 8 0 )
2 C O N T R O L L IN G D IM E N S IO N : IN C H .
3 C O N F O R M S T O J E D E C O U T L IN E T O -2 5 2 A A .
4 D IM E N S IO N S S H O W N A R E B E F O R E S O L D E R D IP ,
S O L D E R D IP M A X . + 0 .1 6 (.0 0 6 ).
Part Marking Information
TO-252AA (D-PARK)
E XA M P L E : T H IS IS A N IR F R 1 2 0
W IT H A S S E M B L Y
LOT COD E 9U1P
IN T E R N A T IO N A L
R E C T IF IE R
LO GO
IR F R
120
F IR S T P O R T IO N
OF PART NUMBER
A
8
ASS EMB LY
LOT CODE
9U
1P
S E C O N D P O R TIO N
OF PART NUMBER
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBD4448HCDW-7-F | DIODE SW ARRAY 80V 200MW SOT363 |
| P51-750-A-AD-D-5V-000-000 | SENSOR 750PSI 7/16-20 UNF 1-5V |
| P51-200-G-J-I36-5V-000-000 | SENSOR 200PSI 3/8-24UNF 1-5V |
| P51-50-A-F-M12-5V-000-000 | SENSOR 50PSI 1/4-18 NPT 1-5V |
| P51-75-S-I-M12-4.5OVP-000-000 | SENSOR 75PSI 7/16-20 UNF .5-4.5V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFU3910HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-251 |
| IRFU3910PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 15A 115mOhm 29.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFU3911 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:SMPS MOSFET |
| IRFU3911PBF | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 14A I-PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRFU410 | 制造商:INTERSIL 制造商全称:Intersil Corporation 功能描述:1.5A, 500V, 7.000 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
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