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参数资料
| 型号： | IRFU9024N |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | CAP 0.22UF 50V 10% X7R SMD-1206 TR-7-PL 3K/REEL |
| 中文描述： | 功率MOSFET（减振钢板基本\u003d- 55V的，的Rds（on）\u003d 0.175ohm，身份证\u003d- 11A条） |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 117K |
| 代理商： | IRFU9024N |
IRFR/U9024N
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
V
=10V
[ ] ***
V
DD
[ ]
I
[ ]
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
R
G
V
DD
dv/dt controlled by R
G
I
SD
controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
D.U.T
*
Circuit Layout Considerations
Low Stray Inductance
Ground Plane
Low Leakage Inductance
Current Transformer
*
Reverse Polarity of D.U.T for P-Channel
V
GS
***
V
GS
= 5.0V for Logic Level and 3V Drive Devices
Fig 14.
For P-Channel HEXFETS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFR9024N | P Channel Surface Mount HEXFET Power MOSFET(P沟道表贴型HEXFET功率MOS场效应管) |
| IRFRU9214 | HA1L-M1C53-G L6 Ovrsz ILL PB Rnd Flsh Mom SPDT 12V LED Sldr |
| IRFU9214 | Power MOSFET(Vdss=-250V, Rds(on)=3.0ohm, Id=-2.7A) |
| IRFR9214 | P Channel Surface Mount HEXFET Power MOSFET(P沟道表贴型HEXFET功率MOS场效应管) |
| IRFRU9310 | Power MOSFET(Vdss=-400V, Rds(on)=7.0ohm, Id=-1.8A) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFU9024NCPBF | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET POWER MOSFET |
| IRFU9024NHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
| IRFU9024NPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT P-Ch -55V -11A 175mOhm 12.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFU9024PBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 8.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFU9024TU | 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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