参数资料
型号: IRFU9110
厂商: INTERSIL CORP
元件分类: 功率晶体管
英文描述: 3.1A, 100V, 1.200 Ohm, P-Channel Power MOSFETs(3.1A, 100V, 1.200 Ω, P沟道功率MOS场效应管)
中文描述: 3.1 A, 100 V, 1.2 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA
文件页数: 3/7页
文件大小: 62K
代理商: IRFU9110
4-79
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
FIGURE 1. NORMALIZED POWER DISSIPATION vs CASE
TEMPERATURE
FIGURE 2. MAXIMUM CONTINUOUS DRAIN CURRENT vs
CASE TEMPERATURE
FIGURE 3. MAXIMUM TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE
FIGURE 4. FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
FIGURE 5. PEAK CURRENT CAPABILITY
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0
25
50
75
100
125
150
P
T
C
, CASE TEMPERATURE (
o
C)
-1.5
-3.5
-0.5
0
25
50
75
100
125
150
I
D
,
T
C
, CASE TEMPERATURE (
o
C)
-2.0
-3.0
-2.5
-1.0
t
1
, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
10
-5
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-4
0.01
10
0.1
1
Z
θ
J
,
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t
1
/t
2
PEAK T
J
= P
DM
x Z
θ
JC
+ T
C
P
DM
t
1
t
2
SINGLE PULSE
T
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
-20
-10
-1
-0.1-1
-10
-100
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
100
μ
s
10ms
100ms
DC
1ms
OPERATION IN THIS
AREA MAY BE
LIMITED BY r
DS(ON)
V
DSS
MAX = -100V
T
C
= 25
o
C, T
J
= MAX RATED
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
-10
-30
t, PULSE WIDTH (s)
I
D
,
TRANSCONDUCTANCE
MAY LIMIT CURRENT
IN THIS REGION
-1
T
C
= 25
o
C
V
GS
= -20V
V
GS
= -10V
FOR TEMPERATURES ABOVE 25
o
C
DERATE PEAK CURRENT
CAPABILITY AS FOLLOWS:
I
I25
150
-------125
T
C
=
IRFR9110, IRFU9110
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PDF描述
IRFR9220PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRFU9220PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
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IRFU9220 3.6A, 200V, 1.500 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
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参数描述
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