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参数资料
| 型号： | IRFU9110 |
| 厂商： | INTERSIL CORP |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 3.1A, 100V, 1.200 Ohm, P-Channel Power MOSFETs(3.1A, 100V, 1.200 Ω, P沟道功率MOS场效应管) |
| 中文描述： | 3.1 A, 100 V, 1.2 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 62K |
| 代理商： | IRFU9110 |
4-81
FIGURE 12. CAPACITANCE vs DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
NOTE: Refer to Application Notes AN7254 and AN7260.
FIGURE 13. NORMALIZED SWITCHING WAVEFORMS FOR
CONSTANT GATE CURRENT
Test Circuits and Waveforms
FIGURE 14. UNCLAMPED ENERGY TEST CIRCUIT
FIGURE 15. UNCLAMPED ENERGY WAVEFORMS
FIGURE 16. SWITCHING TIME TEST CIRCUIT
FIGURE 17. RESISTIVE SWITCHING WAVEFORMS
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
(Continued)
C
ISS
C
OSS
C
RSS
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
400
300
200
100
0
0
-5
-10
-15
-20
-25
V
GS
= 0V, f = 1MHz
C
ISS
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
≈
C
DS
+ C
GD
-100
-50
-25
0
-10.0
-5.0
-2.5
0.0
20
I
G(REF)
I
G(ACT)
80
I
G(REF)
I
G(ACT)
t, TIME (
μ
s)
V
DD
= BV
DSS
R
L
= 32.2
I
G(REF)
= -1.45mA
V
GS
= -10V
0.75 BV
DSS
0.50 BV
DSS
0.25 BV
DSS
0.75 BV
DSS
0.50 BV
DSS
0.25 BV
DSS
V
D
,
V
G
,
-75
V
DD
= BV
DSS
-7.5
t
P
0.01
L
I
AS
+
-
V
DS
V
DD
R
G
DUT
VARY t
P
TO OBTAIN
REQUIRED PEAK I
AS
0V
V
GS
V
DD
V
DS
BV
DSS
t
P
I
AS
t
AV
0
V
GS
R
L
R
G
DUT
+
-
V
DD
t
d(ON)
t
r
90%
10%
V
DS
90%
t
f
t
d(OFF)
t
OFF
90%
50%
50%
10%
PULSE WIDTH
V
GS
0
t
ON
10%
0
IRFR9110, IRFU9110
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFR9220PBF | HEXFET㈢ Power MOSFET |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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