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参数资料
| 型号： | IRFW634B |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 250V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 8.1 A, 250 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | D2PAK-3 |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 649K |
| 代理商： | IRFW634B |
Rev. B, November 2001
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
I
Package Dimensions
10.00
±
0.20
10.00
±
0.20
(8.00)
(4.40)
1.27
±
0.10
0.80
±
0.10
0.80
±
0.10
(2XR0.45)
9.90
±
0.20
4.50
±
0.20
0.10
±
0.15
2.40
±
0.20
2
±
0
1
±
0
9
±
0
4
±
0
1
±
0
2
±
0
(
(
(
0
°
~3
°
0.50
+0.10
1
±
0
9
±
0
1
±
0
4
±
0
(
2.54 TYP
2.54 TYP
1.30
+0.10
–0.05
–0.05
D
2
-PAK
Dimensions in Millimeters
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFI634 | 250V N-Channel MOSFET |
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| IRFW740S | 400V N-Channel Power MOSFET(漏源电压为400V的N沟道增强型功率MOS场效应管) |
| IRFWI530A | Advanced Power MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFW634BTM_FP001 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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