型号: | IRFZ24 |
厂商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分类: | JFETs |
英文描述: | 60V N-Channel Power MOSFET(漏源电压为60V的N沟道增强型功率MOS场效应管) |
中文描述: | 17 A, 60 V, 0.07 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
封装: | TO-220, 3 PIN |
文件页数: | 1/7页 |
文件大小: | 433K |
代理商: | IRFZ24 |
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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IRFZ24LPBF | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
IRFZ24N | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET (Vdss=55V, Rds(on)=0.07ohm, Id=17A) |
IRFZ24N,127 | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 17A SOT78 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:TrenchMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |